Scaning Probe Microscope
DME-95-50 E |
ارائه نقشه توپوگرافی (سه بعدی) سطح، نقشه مناطقی از سطح که از نظر فیزیکی یا شیمیایی از بقیه نقاط متمایز هستند. اطلاعاتی در مورد خواص الکتریکی، مکانیکی، مغناطیسی، اپتیکی
· دقت اندازه گیری تا 1/0 نانومتر
· حداقل نمونه لازم: از نظر ابعادی حداکثر 3 سانتی متر و از نظر ارتفاع کمتر از 3 میلی متر
· مدهای دستگاه:
- Atomic Force Microscopy (AFM) تصویر توپوگرافی، تصویر فاز، اندازهگیری پارامترهای زبری و سه بعدی کردن تصویر، اندازه ذرات و توضیح ذرات از نظر ارتفاع، شکاف سطح، بررسی کیفیت ساختار، بررسی تحولات ساختار با گذشت زمان و در شرایط مختلف
- Scanning Tunneling Microscopy (STM) بررسی ساختار و خواص سطوح مواد رسانا
- Frictional/ Lateral Force Microscopy (LFM-FFM) اندازهگیری چسبندگی و اصطکاک و نیروهای پیوندی در سطوح جامد و مایع
- Magnetic Force Microscopy (MFM) مطالعه خواص مغناطیسی موضعی و تغییرات نیروی مغناطیسی در سطح نمونه، به تصویر کشیدن ساختار حوزههای مغناطیسی ایجاد شده به طور طبیعی یا مصنوعی در مواد مغناطیسی
- Electrochemical Scnning Tunneling Microscopy (ECSTM) تصویر توپوگرافی قبل و بعد از اکسیداسیون و احیاء، مطالعات خوردگی
- Liquid Cell بررسی توپوگرافی و خواص سطوح در محیط مایع، مطالعات ماکرومولکولها و نمونههای بیولوژیکی
فرم درخواست آنالیز
|